Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
heavily-doped region — stipriai legiruota sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heavily doped region vok. hochdotierter Bereich, m rus. сильнолегированная область, f pranc. région fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Photodiode pin — Structure d une jonction PIN Symbole d une photodiode PIN La … Wikipédia en Français
Diode Varicap — La diode à capacité variable ou varicap est une sorte de diode utilisée comme condensateur variable. Représentation symbolique d une diode varicap Fonctionnement Lors de son utilisation, la diode varicap (terme qui est une abréviation de l… … Wikipédia en Français
Diode varicap — Représentation symbolique d une diode varicap Plusieurs configurations d une diode var … Wikipédia en Français
collecteur — collecteur, trice [ kɔlɛktɶr, tris ] n. et adj. • 1315; bas lat. collector, de colligere → collecte 1 ♦ Personne qui recueille des cotisations, des taxes. Collecteur d impôts. ⇒ percepteur. 2 ♦ N. m. Organe ou dispositif qui recueille ce qui… … Encyclopédie Universelle
hochdotierter Bereich — stipriai legiruota sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heavily doped region vok. hochdotierter Bereich, m rus. сильнолегированная область, f pranc. région fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
stipriai legiruota sritis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heavily doped region vok. hochdotierter Bereich, m rus. сильнолегированная область, f pranc. région fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
сильнолегированная область — stipriai legiruota sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heavily doped region vok. hochdotierter Bereich, m rus. сильнолегированная область, f pranc. région fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
